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SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 120A TO263

SOT-23

não conforme

SQM120N02-1M3L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.17000 $3.17
500 $3.1383 $1569.15
1000 $3.1066 $3106.6
1500 $3.0749 $4612.35
2000 $3.0432 $6086.4
2500 $3.0115 $7528.75
715 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 290 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14500 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFDC20PBF
IRFDC20PBF
$0 $/pedaço
STB30NF20
STB30NF20
$0 $/pedaço
2N7000-G
2N7000-G
$0 $/pedaço
IRLS3034TRL7PP
STU9N65M2
STU9N65M2
$0 $/pedaço
MCG30N03A-TP
MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
$0 $/pedaço
IXFA36N20X3
IXFA36N20X3
$0 $/pedaço
R6024KNJTL
R6024KNJTL
$0 $/pedaço
NTMFS4D2N10MDT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
$0 $/pedaço

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