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SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

SOT-23

não conforme

SQM110N05-06L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.56420 $1251.36
1,600 $1.43550 -
2,400 $1.33650 -
5,600 $1.28700 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4440 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 157W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMTH8012LK3-13
SISS26DN-T1-GE3
R8002KNXC7G
R8002KNXC7G
$0 $/pedaço
IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF
$0 $/pedaço
STW23N80K5
STW23N80K5
$0 $/pedaço
HUFA75852G3
NTMFS4C03NT3G
NTMFS4C03NT3G
$0 $/pedaço
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
$0 $/pedaço
FCP380N60
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$0 $/pedaço

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