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SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

não conforme

SQJA96EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.41328 -
6,000 $0.39388 -
15,000 $0.38002 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTP1N100P
IXTP1N100P
$0 $/pedaço
RM15P30S8
RM15P30S8
$0 $/pedaço
DIT195N08
DIT195N08
$0 $/pedaço
UF3C065030K4S
UF3C065030K4S
$0 $/pedaço
SQD50P08-25L_GE3
FCHD125N65S3R0-F155
FCHD125N65S3R0-F155
$0 $/pedaço
NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG
$0 $/pedaço

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