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SQJA06EP-T1_GE3

SQJA06EP-T1_GE3

SQJA06EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

SOT-23

não conforme

SQJA06EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 57A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SCTH100N65G2-7AG
IXFR26N120P
IXFR26N120P
$0 $/pedaço
DMP6110SFDF-7
G3R30MT12J
DMTH10H015SK3Q-13
IRFP260NPBF
IRFI614GPBF
IRFI614GPBF
$0 $/pedaço

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