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SQJA02EP-T1_GE3

SQJA02EP-T1_GE3

SQJA02EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SQJA02EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FCPF7N60
FCPF7N60
$0 $/pedaço
DMS3016SSS-13
STP150NF55
STP150NF55
$0 $/pedaço
STP9NK65Z
STP9NK65Z
$0 $/pedaço
STF31N65M5
STF31N65M5
$0 $/pedaço
IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
$0 $/pedaço
SQ3460EV-T1_GE3
SIHP35N60E-GE3
SIHP35N60E-GE3
$0 $/pedaço
FCPF16N60NT
FCPF16N60NT
$0 $/pedaço
PMX100UNZ
PMX100UNZ
$0 $/pedaço

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