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SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

não conforme

SQJ968EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23.5A (Tc)
rds em (máx.) @ id, vgs 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18.5nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 714pF @ 30V
potência - máx. 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TA)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa PowerPAK® SO-8 Dual
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número da peça relacionada

2N7002PV,115
2N7002PV,115
$0 $/pedaço
DMT10H017LPD-13
PMDPB56XNEAX
PMDPB56XNEAX
$0 $/pedaço
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/pedaço
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/pedaço

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