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SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SQJ860EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.37629 -
6,000 $0.35187 -
15,000 $0.33966 -
30,000 $0.33300 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STF12N120K5
STF12N120K5
$0 $/pedaço
IPP60R120P7XKSA1
SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3
$0 $/pedaço
DI9942T
DI9942T
$0 $/pedaço
NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
$0 $/pedaço
IRF1010ZPBF
2N7002BKVL
2N7002BKVL
$0 $/pedaço
RSY160P05TL
RSY160P05TL
$0 $/pedaço
BUK7Y43-60EX
BUK7Y43-60EX
$0 $/pedaço

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