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SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

compliant

SQJ858AEP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.48101 -
6,000 $0.45843 -
15,000 $0.44230 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2450 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

P3M06040K3
DMN2058UW-13
RSJ800N06TL
RSJ800N06TL
$0 $/pedaço
IPI072N10N3 G
BUK964R2-60E,118
BSH202,215
BSH202,215
$0 $/pedaço
NTE2379
NTE2379
$0 $/pedaço
MCU90N06A-TP
STB13N80K5
STB13N80K5
$0 $/pedaço

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