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SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

compliant

SQJ850EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.83450 -
6,000 $0.80555 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1225 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTD85N02RT4
NTD85N02RT4
$0 $/pedaço
HUF75332P3
HUF75332P3
$0 $/pedaço
STD36P4LLF6
STD36P4LLF6
$0 $/pedaço
DMN2450UFD-7
SQD100N02-3M5L_GE3
SIR122DP-T1-RE3
FDP51N25
FDP51N25
$0 $/pedaço
ZVN0124A
ZVN0124A
$0 $/pedaço

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