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SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

não conforme

SQJ570EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 100V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Tc), 9.5A (Tc)
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
potência - máx. 27W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa PowerPAK® SO-8 Dual
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número da peça relacionada

QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/pedaço
CAR600M17HN6
CAR600M17HN6
$0 $/pedaço
NVMFD5C680NLWFT1G
NVMFD5C680NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRF7309TRPBF
NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G
$0 $/pedaço
NTMD6N03R2
NTMD6N03R2
$0 $/pedaço
DMN2016UFX-7

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