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SQJ488EP-T2_GE3

SQJ488EP-T2_GE3

SQJ488EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SQJ488EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.39000 $1.39
500 $1.3761 $688.05
1000 $1.3622 $1362.2
1500 $1.3483 $2022.45
2000 $1.3344 $2668.8
2500 $1.3205 $3301.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 978 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

2SK3615-TL-E
2SK3615-TL-E
$0 $/pedaço
IRFR024TRPBF-BE3
IXFH36N50P
IXFH36N50P
$0 $/pedaço
ISL9N310AP3
SIHFR430ATRR-GE3
STP4N90K5
STP4N90K5
$0 $/pedaço
NDS8435A
SQJA64EP-T1_GE3

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