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SQJ460AEP-T2_GE3

SQJ460AEP-T2_GE3

SQJ460AEP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8

compliant

SQJ460AEP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.60984 $0.60984
500 $0.6037416 $301.8708
1000 $0.5976432 $597.6432
1500 $0.5915448 $887.3172
2000 $0.5854464 $1170.8928
2500 $0.579348 $1448.37
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2654 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN1019USN-7
RFP4N05
RFP4N05
$0 $/pedaço
SISHA14DN-T1-GE3
IPD60R3K3C6ATMA1
SIHF15N60E-E3
SIHF15N60E-E3
$0 $/pedaço
RQ7G080ATTCR
RQ7G080ATTCR
$0 $/pedaço
SFT1440-E
SFT1440-E
$0 $/pedaço
FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC
$0 $/pedaço
DMTH43M8LK3-13

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