Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

não conforme

SQJ460AEP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4795 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

STD25NF10LA
STD25NF10LA
$0 $/pedaço
SIHF520STRR-GE3
RF4C100BCTCR
RF4C100BCTCR
$0 $/pedaço
IXFR44N50Q
IXFR44N50Q
$0 $/pedaço
IPB060N15N5ATMA1
SIRA04DP-T1-GE3
SISH116DN-T1-GE3
EKI10198
EKI10198
$0 $/pedaço
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.