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SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

não conforme

SQJ457EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXFT44N50P
IXFT44N50P
$0 $/pedaço
CSD18511KTTT
CSD18511KTTT
$0 $/pedaço
SI2324A-TP
SI2324A-TP
$0 $/pedaço
IRFF223
IRFF223
$0 $/pedaço
R6507KND3TL1
R6507KND3TL1
$0 $/pedaço
FCP260N60E
FCP260N60E
$0 $/pedaço
SIHG44N65EF-GE3
IXTH3N120
IXTH3N120
$0 $/pedaço

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