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SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

não conforme

SQJ414EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.33561 -
6,000 $0.31383 -
15,000 $0.30294 -
30,000 $0.29700 -
6 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1110 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STD1NK80ZT4
STD1NK80ZT4
$0 $/pedaço
MCH6351-TL-W
MCH6351-TL-W
$0 $/pedaço
IRFP264PBF
IRFP264PBF
$0 $/pedaço
NDS9430A
FDC3512
FDC3512
$0 $/pedaço
NTBG080N120SC1
NTBG080N120SC1
$0 $/pedaço
STFI9N80K5
STFI9N80K5
$0 $/pedaço

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