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SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

não conforme

SQJ412EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.13407 -
6,000 $1.09472 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5950 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STD4NK100Z
STD4NK100Z
$0 $/pedaço
IRFRC20TRLPBF-BE3
IXFK170N25X3
IXFK170N25X3
$0 $/pedaço
APT10035LFLLG
IRFR210BTM
IXTT52N30P
IXTT52N30P
$0 $/pedaço
BSP135H6906XTSA1
SISH110DN-T1-GE3
IRLP3034PBF
MCH3377-TL-E
MCH3377-TL-E
$0 $/pedaço

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