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SQJ401EP-T2_GE3

SQJ401EP-T2_GE3

SQJ401EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ401EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.08900 $1.089
500 $1.07811 $539.055
1000 $1.06722 $1067.22
1500 $1.05633 $1584.495
2000 $1.04544 $2090.88
2500 $1.03455 $2586.375
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 164 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10015 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FCP21N60N
NVMFS3D0P04M8LT1G
NVMFS3D0P04M8LT1G
$0 $/pedaço
IRF647
IRF647
$0 $/pedaço
SIA430DJT-T1-GE3
G7P03S
G7P03S
$0 $/pedaço
DMT10H9M9LSS-13

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