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SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ401EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.94149 -
6,000 $0.90882 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 164 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10015 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

R6030ENXC7G
R6030ENXC7G
$0 $/pedaço
DMP2104LP-7
DMP2104LP-7
$0 $/pedaço
VN2460N3-G-P014
BSZ0901NSIATMA1
IRL520PBF
IRL520PBF
$0 $/pedaço
SI3424BDV-T1-GE3
SQM40P10-40L_GE3

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