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SQJ182EP-T1_GE3

SQJ182EP-T1_GE3

SQJ182EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

não conforme

SQJ182EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 210A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5392 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 395W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTY8N65X2
IXTY8N65X2
$0 $/pedaço
STU10NM60N
STU10NM60N
$0 $/pedaço
MCB130N10Y-TP
MTD3302T4
MTD3302T4
$0 $/pedaço
IPD65R225C7ATMA1
FDB13AN06A0
FDB13AN06A0
$0 $/pedaço

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