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SQD50P08-28-T4_GE3

SQD50P08-28-T4_GE3

SQD50P08-28-T4_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

não conforme

SQD50P08-28-T4_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.78408 $0.78408
500 $0.7762392 $388.1196
1000 $0.7683984 $768.3984
1500 $0.7605576 $1140.8364
2000 $0.7527168 $1505.4336
2500 $0.744876 $1862.19
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 48A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6035 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

NP34N055SLE-E1-AY
NP34N055SLE-E1-AY
$0 $/pedaço
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
$0 $/pedaço
DMT3020LFDFQ-13
DMTH8008LFG-7
DMT67M8LPSW-13
IXTT6N120-TRL
IXTT6N120-TRL
$0 $/pedaço
2SK2623-TL-E
2SK2623-TL-E
$0 $/pedaço
SI4463DY

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