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SQD23N06-31L_T4GE3

SQD23N06-31L_T4GE3

SQD23N06-31L_T4GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA

não conforme

SQD23N06-31L_T4GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.47916 $0.47916
500 $0.4743684 $237.1842
1000 $0.4695768 $469.5768
1500 $0.4647852 $697.1778
2000 $0.4599936 $919.9872
2500 $0.455202 $1138.005
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 31mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 845 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

DMT8008SPS-13
SI2312A-TP
SI2312A-TP
$0 $/pedaço
MTP75N06HD
MTP75N06HD
$0 $/pedaço
BTS240AHKSA1
SIDR104ADP-T1-RE3
DMTH12H007SPS-13
DMP6023LFG-13
SQJ150EP-T1_GE3

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