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SQD100N03-3M2L_GE3

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SQD100N03-3M2L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

não conforme

SQD100N03-3M2L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.74250 -
6,000 $0.71500 -
10,000 $0.70000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 116 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6316 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SIHG100N60E-GE3
SIA429DJT-T1-GE3
NTMFS5C404NLTT3G
NTMFS5C404NLTT3G
$0 $/pedaço
FQB27P06TM
FQB27P06TM
$0 $/pedaço
BUK7M9R5-40HX
BUK7M9R5-40HX
$0 $/pedaço
R6511ENJTL
R6511ENJTL
$0 $/pedaço
DMP2040USS-13
BSP220,115
BSP220,115
$0 $/pedaço

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