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SQ4483EY-T1_GE3

SQ4483EY-T1_GE3

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

compliant

SQ4483EY-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.64944 -
5,000 $0.61895 -
12,500 $0.59717 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

IRF7807ZPBF
SIJ420DP-T1-GE3
AUIRFS3004-7P
IRFSL3206PBF
MTB29N15ET4
MTB29N15ET4
$0 $/pedaço
FDP24N40
FDP24N40
$0 $/pedaço
EPC2014C
EPC2014C
$0 $/pedaço
IRFD320PBF
IRFD320PBF
$0 $/pedaço
SIR580DP-T1-RE3

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