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SQ4431EY-T1_GE3

SQ4431EY-T1_GE3

SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO

compliant

SQ4431EY-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.44280 -
5,000 $0.42201 -
12,500 $0.40716 -
25,000 $0.40500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1265 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

DMP4025LK3Q-13
RSS095N05FRATB
STP5NK50ZFP
STP5NK50ZFP
$0 $/pedaço
IPS65R1K4C6AKMA1
FQB3P20TM
STP3N80K5
STP3N80K5
$0 $/pedaço
IPD60R380E6ATMA2

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