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SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

compliant

SISS98DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.50922 -
6,000 $0.48531 -
15,000 $0.46823 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 105mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 7.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 608 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

DMT6015LFV-13
DMNH6042SK3Q-13
FQL40N50F
LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040
$0 $/pedaço
BUK9Y7R6-40E,115
IPP60R099P7XKSA1
FQB70N08TM
NTMS4705NR2G
NTMS4705NR2G
$0 $/pedaço
STF10N80K5
STF10N80K5
$0 $/pedaço
SI6426DQ

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