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SISS92DN-T1-GE3

SISS92DN-T1-GE3

SISS92DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK

compliant

SISS92DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.56580 -
6,000 $0.53924 -
15,000 $0.52026 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 173mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 125 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

IRFSL7734PBF
IXFK98N50P3
IXFK98N50P3
$0 $/pedaço
2SK1420
2SK1420
$0 $/pedaço
APT5020SVFRG/TR
NVMFS5C612NLAFT3G
NVMFS5C612NLAFT3G
$0 $/pedaço
SVD2955T4G
SVD2955T4G
$0 $/pedaço
FDPF10N50UT
NTMFS4C01NT3G
NTMFS4C01NT3G
$0 $/pedaço
IPP60R125P6XKSA1
RTQ020N03TR
RTQ020N03TR
$0 $/pedaço

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