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SISS52DN-T1-GE3

SISS52DN-T1-GE3

SISS52DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK

não conforme

SISS52DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.11000 $1.11
500 $1.0989 $549.45
1000 $1.0878 $1087.8
1500 $1.0767 $1615.05
2000 $1.0656 $2131.2
2500 $1.0545 $2636.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 47.1A (Ta), 162A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2950 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

CSD18542KCS
CSD18542KCS
$0 $/pedaço
RM20N650HD
RM20N650HD
$0 $/pedaço
SIHG125N60EF-GE3
SMBF1053LT3
SMBF1053LT3
$0 $/pedaço
FQPF5N50
HUF76629D3S
STD5N62K3
STD5N62K3
$0 $/pedaço

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