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SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

não conforme

SISS28DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
26 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3640 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

PSMN7R8-120PSQ
BSH203,215
BSH203,215
$0 $/pedaço
IPB034N03LGATMA1
DMN24H3D5L-7
DMP2035UFDF-13
MCH3486-TL-H
MCH3486-TL-H
$0 $/pedaço
2SK4043LS
2SK4043LS
$0 $/pedaço
SQ3457EV-T1_BE3
SQ2303ES-T1_BE3
APT47N60SC3G

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