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SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

não conforme

SISS10DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.48052 -
6,000 $0.45796 -
15,000 $0.44184 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3750 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

DMP2070UQ-13
DI035P04PT
DI035P04PT
$0 $/pedaço
IRF840BPBF-BE3
IRF840BPBF-BE3
$0 $/pedaço
BUK7Y15-100EX
BUK7Y15-100EX
$0 $/pedaço
FCI25N60N-F102
TN2640K4-G
TN2640K4-G
$0 $/pedaço
PSMN1R8-40YLC,115
BSS138P,215
BSS138P,215
$0 $/pedaço

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