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SISHA04DN-T1-GE3

SISHA04DN-T1-GE3

SISHA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK

não conforme

SISHA04DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30.9A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3595 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

IRLR014TRLPBF
IRLR014TRLPBF
$0 $/pedaço
FCMT180N65S3
FCMT180N65S3
$0 $/pedaço
APT9F100B
APT9F100B
$0 $/pedaço
RCX330N25
RCX330N25
$0 $/pedaço
STP70NF03L
STP70NF03L
$0 $/pedaço
SQD90P04-9M4L_GE3
IXTP86N20T
IXTP86N20T
$0 $/pedaço
STF7N60M2
STF7N60M2
$0 $/pedaço
STF9N60M2
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