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SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK

compliant

SISH402DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44723 -
6,000 $0.42623 -
15,000 $0.41123 -
2 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

IPP50R299CPXKSA1
BUK9Y43-60E,115
FDB8160-F085
PSMN4R8-100YSEX
IXFH28N60P3
IXFH28N60P3
$0 $/pedaço
TP90H050WS
TP90H050WS
$0 $/pedaço
NTK3139PT5G
NTK3139PT5G
$0 $/pedaço
APT50M50JLL
RSF014N03TL
RSF014N03TL
$0 $/pedaço

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