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SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK

não conforme

SISH129DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44067 -
6,000 $0.41998 -
15,000 $0.40520 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14.4A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3345 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

CPH3360-TL-H
CPH3360-TL-H
$0 $/pedaço
SQM120N06-3M5L_GE3
LP0701N3-G
LP0701N3-G
$0 $/pedaço
SUM80090E-GE3
SUM80090E-GE3
$0 $/pedaço
NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
$0 $/pedaço
2SK3018-TP
2SK3018-TP
$0 $/pedaço
STP16NF06
STP16NF06
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PMV30ENEAR
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