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SISH101DN-T1-GE3

SISH101DN-T1-GE3

SISH101DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

SOT-23

não conforme

SISH101DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.33053 -
6,000 $0.30908 -
15,000 $0.29835 -
30,000 $0.29250 -
5240 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16.9A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3595 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

SPD15P10PGBTMA1
APL602J
APL602J
$0 $/pedaço
PHB45NQ10T,118
PMPB29XNE,115
PMPB29XNE,115
$0 $/pedaço
IRFS820B
NTD4865NT4G
NTD4865NT4G
$0 $/pedaço

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