Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

não conforme

SISA66DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
6,000 $0.41476 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3014 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IRFI4410ZPBF
IXFA12N65X2-TRL
IXFA12N65X2-TRL
$0 $/pedaço
IXTP80N10T
IXTP80N10T
$0 $/pedaço
IRF620PBF
IRF620PBF
$0 $/pedaço
DMN4020LFDE-13
RU1C002UNTCL
RU1C002UNTCL
$0 $/pedaço
STF11N65M5
STF11N65M5
$0 $/pedaço
SUD23N06-31-T4-GE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.