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SISA35DN-T1-GE3

SISA35DN-T1-GE3

SISA35DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK

não conforme

SISA35DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
2884 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 19mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SIS698DN-T1-GE3
IRFH7440TRPBF
FDP2D9N12C
FDP2D9N12C
$0 $/pedaço
STL4LN80K5
STL4LN80K5
$0 $/pedaço
IPA60R190P6XKSA1
STP28NM50N
STP28NM50N
$0 $/pedaço
STB15N80K5
STB15N80K5
$0 $/pedaço
SQ4470EY-T1_GE3
DMN2044UCB4-7

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