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SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

compliant

SISA14DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.28815 -
6,000 $0.26945 -
15,000 $0.26010 -
30,000 $0.25500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1450 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

STF22N60M6
STF22N60M6
$0 $/pedaço
DMP4015SK3-13
DMP3010LK3-13
APT40M35JVR
FDP027N08B-F102
FDP027N08B-F102
$0 $/pedaço
C3M0075120K
C3M0075120K
$0 $/pedaço
IRFS4510TRLPBF
SQJA38EP-T1_GE3
RSQ015N06HZGTR

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