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SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8

compliant

SISA10DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.49200 -
6,000 $0.46890 -
15,000 $0.45240 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2425 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

2SK3707-1E
2SK3707-1E
$0 $/pedaço
BUK752R7-60E,127
BUK752R7-60E,127
$0 $/pedaço
FDMS0310AS
FDMS0310AS
$0 $/pedaço
DMP21D2UFA-7B
CSD23382F4
CSD23382F4
$0 $/pedaço
RM75N60T2
RM75N60T2
$0 $/pedaço
IRFR120TRLPBF-BE3
APT6010JFLL
RV3CA01ZPT2CL

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