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SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

SOT-23

não conforme

SIS903DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.46494 -
6,000 $0.44311 -
15,000 $0.42752 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
rds em (máx.) @ id, vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2565pF @ 10V
potência - máx. 2.6W (Ta), 23W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8 Dual
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8 Dual
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Número da peça relacionada

DMN62D0UT-13
RM4077S8
RM4077S8
$0 $/pedaço
SIZ300DT-T1-GE3
DMC2710UDW-13
FW274-TL-E
FW274-TL-E
$0 $/pedaço
SQ4961EY-T1_GE3
NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
$0 $/pedaço
ZXMN3A04DN8TA
SQJQ904E-T1_GE3
DMN33D9LV-7
DMN33D9LV-7
$0 $/pedaço

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