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SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK

não conforme

SIS862ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15.8A (Ta), 52A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1235 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

FDP75N08
IRFZ44PBF-BE3
IRFZ44PBF-BE3
$0 $/pedaço
NTD4856N-35G
NTD4856N-35G
$0 $/pedaço
IRFU220NPBF
BSS123
BSS123
$0 $/pedaço
NDF04N60ZG
NDF04N60ZG
$0 $/pedaço

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