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SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8

compliant

SIS452DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRL5602S
IRL5602S
$0 $/pedaço
IRFR210TRL
IRFR210TRL
$0 $/pedaço
IRFI9520G
IRFI9520G
$0 $/pedaço
VN10LPSTOA
VN10LPSTOA
$0 $/pedaço
IRFH5204TRPBF
IPW65R190C6FKSA1
IRF1010EZL
IRFR3711
IRFR3711
$0 $/pedaço
NX3008NBKT,115
NX3008NBKT,115
$0 $/pedaço

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