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SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

compliant

SIS448DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1575 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SIE816DF-T1-GE3
FQA9N90
FQA9N90
$0 $/pedaço
SI1404BDH-T1-E3
SI7413DN-T1-GE3
FDMC0310AS
FDMC0310AS
$0 $/pedaço
STN1N20
STN1N20
$0 $/pedaço
IRLR3715TRL
IRFR2405TRR
IRF3709STRLPBF
IRFU9210
IRFU9210
$0 $/pedaço

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