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SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

não conforme

SIS438DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.36443 -
6,000 $0.34078 -
15,000 $0.32895 -
30,000 $0.32250 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 880 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

AUIRFR024N
STT5N2VH5
STT5N2VH5
$0 $/pedaço
STL33N60DM2
STL33N60DM2
$0 $/pedaço
NTMFS5C423NLT1G
NTMFS5C423NLT1G
$0 $/pedaço
BUK763R1-40B,118
RCJ081N20TL
RCJ081N20TL
$0 $/pedaço
BSC066N06NSATMA1
NTMYS014N06CLTWG
NTMYS014N06CLTWG
$0 $/pedaço

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