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SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

compliant

SIS435DNT-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.33900 -
6,000 $0.31700 -
15,000 $0.30600 -
30,000 $0.30000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5700 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

PSMN027-100XS,127
PSMN027-100XS,127
$0 $/pedaço
BUK965R4-40E,118
FDB2552
FDB2552
$0 $/pedaço
NTD4906NA-35G
NTD4906NA-35G
$0 $/pedaço
EKI07117
EKI07117
$0 $/pedaço
EPC2207
EPC2207
$0 $/pedaço
SQP10250E_GE3
SQP10250E_GE3
$0 $/pedaço
ZVN4306A
ZVN4306A
$0 $/pedaço

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