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SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

não conforme

SIS434DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1530 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

DMP510DL-7
DMP510DL-7
$0 $/pedaço
FDMA507PZ
FDMA507PZ
$0 $/pedaço
RM30N100LD
RM30N100LD
$0 $/pedaço
NTMFS5C404NLTWFT1G
NTMFS5C404NLTWFT1G
$0 $/pedaço
IXTA3N110
IXTA3N110
$0 $/pedaço
IXFA16N60P3
IXFA16N60P3
$0 $/pedaço
NVMJS0D9N04CTWG
NVMJS0D9N04CTWG
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SIHB18N60E-GE3
SIHB18N60E-GE3
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