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SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

compliant

SIS424DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2
$0 $/pedaço
IRF6613TR1PBF
STF25NM60N
STF25NM60N
$0 $/pedaço
IRFU9214
IRFU9214
$0 $/pedaço
IRFR9N20DTRL
IRL3102STRR
STF20NF06
STF20NF06
$0 $/pedaço
IPP04CN10NG
IRFB7437GPBF
RZR025P01TL
RZR025P01TL
$0 $/pedaço

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