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SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK

compliant

SIS110DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.28612 -
6,000 $0.26755 -
15,000 $0.25826 -
30,000 $0.25320 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 54mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NTMFS4926NET1G
NTMFS4926NET1G
$0 $/pedaço
SIHG28N65EF-GE3
SCH1301-TL-E
SCH1301-TL-E
$0 $/pedaço
IRFS52N15DTRRP
IPD50R800CEAUMA1
STP20NM60
STP20NM60
$0 $/pedaço
IRF644PBF
IRF644PBF
$0 $/pedaço
STW25N60M2-EP
FDFS2P102A
SPP03N60C3

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