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SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK

não conforme

SIS108DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.43445 $0.43445
500 $0.4301055 $215.05275
1000 $0.425761 $425.761
1500 $0.4214165 $632.12475
2000 $0.417072 $834.144
2500 $0.4127275 $1031.81875
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.7A (Ta), 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 34mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 545 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IPP60R385CPXKSA1
RSF010P03TL
RSF010P03TL
$0 $/pedaço
FQD13N10TM
FQD13N10TM
$0 $/pedaço
UJ4C075023K4S
UJ4C075023K4S
$0 $/pedaço
DMN2046U-7
DMN2046U-7
$0 $/pedaço
R6006ANDTL
R6006ANDTL
$0 $/pedaço
2N7002NXBKR
2N7002NXBKR
$0 $/pedaço
DMT3020LFVW-7
STD1HN60K3
STD1HN60K3
$0 $/pedaço
PXN010-30QLJ
PXN010-30QLJ
$0 $/pedaço

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