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SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

compliant

SIRA90DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.61779 -
6,000 $0.58878 -
15,000 $0.56806 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 153 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10180 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

APT10M11LVRG
MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G
$0 $/pedaço
NTB4302T4
NTB4302T4
$0 $/pedaço
FDMS5361L-F085
TPIC5302D
TPIC5302D
$0 $/pedaço
SI4427BDY-T1-GE3
IXFA110N15T2
IXFA110N15T2
$0 $/pedaço
DN2535N3-G-P013

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