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SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

compliant

SIRA60DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
6,000 $0.66896 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.94mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7650 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTD4909NAT4H
NTD4909NAT4H
$0 $/pedaço
DMN22M5UFG-7
SPP08N50C3XKSA1
IRFP4668PBFXKMA1
IXTA140P05T-TRL
IXTA140P05T-TRL
$0 $/pedaço
DMT6007LFGQ-13
IXTK3N250L
IXTK3N250L
$0 $/pedaço
FDZ451PZ
GT060N04D3
GT060N04D3
$0 $/pedaço

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