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SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

compliant

SIRA60DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.70192 -
6,000 $0.66896 -
15,000 $0.64542 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.94mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7650 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SCT20N120
SCT20N120
$0 $/pedaço
BUK7Y14-80EX
BUK7Y14-80EX
$0 $/pedaço
IXKT70N60C5-TUB
IXKT70N60C5-TUB
$0 $/pedaço
BSP125L6327
FDMS86350
FDMS86350
$0 $/pedaço
NTNS3A65PZT5G
NTNS3A65PZT5G
$0 $/pedaço
FCPF400N80Z
FCPF400N80Z
$0 $/pedaço
SQM25N15-52_GE3
NTF3055-160T3
NTF3055-160T3
$0 $/pedaço
STD25N10F7
STD25N10F7
$0 $/pedaço

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